365体育·(中国)官方网站-最新版App Store下载

张红

个人简历

出生年月： 1979.08

任职年月：2005.07

职称：讲师

党政职务：无

技术职务：无

所在学科：热能工程

导师：无

最高学位：博士

学术任职：无

研究领域

1.          Ⅲ-Ⅴ族半导体材料研究

2.          太阳能光伏材料晶体生长

在研项目

主要论文

1.           Zhang H., Zuo R., Zhang G. Effects of reaction-kinetic parameters on modeling reaction pathways in GaN MOVPE growth. Journal of Crystal Growth[J]. 2017,478: 193-204.

2.           R.Zuo*, H.Zhang, B.Wang, et al. Quantum Chemistry Study on the Adduct Reaction Paths as Functions of Temperature in GaN/AlN MOVPE Growth[J]. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2016,5(12): 667-673.

3.          张红*，左然. 径向三重流MOCVD反应器生长GaN的数值模拟.人工晶体学报.2009,38(4):938-942.

4.           R. Zuo*, H. Zhang, X. L. Liu. Transport phenomena in radial flow MOCVD reactor with three concentric vertical inlets[J]. Journal of Crystal Growth, 2006, 293(2):498-508.

5.           左然*, 张红, 刘祥林. 行星式化学气相沉积反应器内对流涡旋的数值模拟[J]. 工程热物理学报, 2005, 26(4):671-673.

6.           左然*, 张红, 刘祥林. 径向三重流MOCVD反应器输运过程的数值模拟[J]. 半导体学报, 2005, 26(5):977-982.